Se había informado que TSMC estaba cerca de completar su nuevo proceso de 3nm, nuevos informes aseguran que Apple ya ha hecho un encargo para sus procesadores de la serie M y la serie A con esta tecnología. [...] TSMC ha afirmado que su proceso de 3nm proporcionará un aumento del rendimiento de entre el 10% y el 15% incluso con respecto a su reciente proceso de 5nm. También se dice que los chips de 3nm ofrecerán entre un 20% y un 25% más de ahorro de energía.

Intel, Samsung, TSMC y otros están sentando las bases para la transición de los transistores finFET actuales a los nuevos transistores de efecto de campo de puerta completa (GAA FET) en los nodos de 3 nm y 2 nm, a partir del próximo año o en 2023. GAA FET cumplen la promesa de un mejor rendimiento, menor potencia y menores fugas, y se necesitarán por debajo de 3 nm, cuando los finFET se agoten. Pero a pesar de que estos transistores de última generación se consideran un paso evolutivo de los finFET, y han estado en I + D durante años