Intel, Samsung, TSMC y otros están sentando las bases para la transición de los transistores finFET actuales a los nuevos transistores de efecto de campo de puerta completa (GAA FET) en los nodos de 3 nm y 2 nm, a partir del próximo año o en 2023. GAA FET cumplen la promesa de un mejor rendimiento, menor potencia y menores fugas, y se necesitarán por debajo de 3 nm, cuando los finFET se agoten. Pero a pesar de que estos transistores de última generación se consideran un paso evolutivo de los finFET, y han estado en I + D durante años

Como vemos, los costes no paran de crecer, y aunque los márgenes se van manteniendo porque por oblea se crean más chips, lo cual abarata la misma por conseguir más ingresos por wafer, la realidad es que esto solo se cumple si la tasa de éxito supera el 80% en todas las obleas.