FeRAM (FRAM) promete revolucionar el almacenamiento de datos

Un equipo de investigación dirigido por el profesor Joon Hee Lee de la Escuela de Energía e Ingeniería Química del UNIST ha propuesto un nuevo fenómeno físico que tiene el potencial de aumentar la capacidad de almacenamiento de los chips de memoria del tamaño de una uña. Estas nuevas memorias se llamarían FeRAM o FRAM. Cuando se usa correctamente, la memoria semiconductora puede almacenar 500 Tbit/cm2, 1.000 veces más que los chips de memoria flash disponibles actualmente.