Primera demostración experimental de la captura de un arco iris utilizando Silicio (aplicación en memorias ópticas)(En)

El experimento se realizó en la Universidad de Illinois en Chicago. En lugar de utilizar metamateriales exóticos, que son difíciles de fabricar y altamente ineficientes a longitudes de onda ópticas, Yang y colaboradores demostraron que es posible producir el efecto Goos-Hӓnchen mediante la colocación de una rejilla de interferencia de silicio (Si) sobre la superficie de un dieléctrico, por ejemplo sílice (SiO₂). Y cambiando las separaciones en la rejilla, es posible capturar luz a diferentes longitudes de onda.